2000年
· 國內首(shou)次研發出(chu)快恢復(fu)高壓硅堆,填補(bu)國內空白
2002年
· 國內首次研發出區熔硅單晶,填補國內空白
· 國內首次研發出氣相摻雜區熔硅單晶的生產技(ji)術,填補國內空白
2005年
· 國內(nei)首次(ci)研發(fa)出區熔氣相摻(chan)雜太陽能電池硅單(dan)晶的生產(chan)技術,填補國內(nei)空白
2008年
· 國(guo)(guo)內(nei)首次研發出摻鎵元素(su)太陽能直拉硅單(dan)晶(jing)的生產技(ji)術(shu),填補國(guo)(guo)內(nei)空白
2010年
· 國內首次研發出高壓大電流MOSFET,填補國內空白
· 國內(nei)首次研發出|GBT器件用區熔(rong)拋光片生產技術,填補國內(nei)空(kong)白
2011年
· 研制生產出中國首顆8英寸區熔硅單晶
2012年
· 研發出太陽能電池用CFZ單晶生產技術
· 研(yan)制生產出信息安全專用激光(guang)打印機
2015年
· 研(yan)發出熒光量子點微納米級(ji)封裝的復合材(cai)料(liao)結構(gou) |